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冷たいプレート
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溶接液冷却 冷板 散熱 熱管理 ソリューション

溶接液冷却 冷板 散熱 熱管理 ソリューション

ブランド名: Uchi
モデル番号: ヒートシンク
MOQ: 100個
価格: 1300-1500 dollars
支払い条件: T/T、ペイパル、ウェスタンユニオン、マネーグラム
補給能力: 50000000個/月
詳細情報
起源の場所:
中国広東省東莞市
証明:
SMC
ボンディングテクノロジー:
FSW、圧力管
最高使用圧力:
10バール
追加処理:
CNC加工
表面平坦度:
0.1 mm
熱源電力:
24KW
耐食性:
はい、適切なコーティングが施されていれば可能です
単一パッケージのサイズ:
45X40X10cm
寸法:
カスタマイズ可能
テクノロジー:
パイプ曲げ
梱包箱のサイズ:
42.5*33*18センチメートル
IP等級:
IP65
表面処理:
プレス+表面仕上げ
水路の数:
6つの水路
ハイライト:

溶接した液体冷却プレート

,

溶接した液体熱シンク

,

溶接した冷却プレート

製品の説明
溶接液冷却 冷板 散熱 熱管理 ソリューション
溶接した液体冷却板

A brazed liquid cooling plate is a liquid-cooled heat dissipation plate formed by welding the upper and lower cover plates and the internal flow channels/fins in a high-temperature vacuum furnace using the brazing process優れた密封性能,正確な流れチャネル,低熱耐性,高圧耐性により,高級液体冷却プレートのメインストリームプロセスの1つとなっています.

基本構造

一般的に3つの層からなる.

  • 上部カバープレート: 密封,インターフェース,マウント表面を提供
  • 中層:流通管プレート / 渦巻きフィン / ピンフィン
  • 下蓋板:熱を生成する部品の粘着面

3つの層は溶接によって金属学的に結合され,統合された単位になります.

基本プロセス:真空溶融
  1. シート金属 → 塗装 / プレプレッシング 溶接 フィルラー金属
  2. 積み立てと配置 → 真空溶融炉に積載
  3. 高温加熱 (アルミについては約600°C)
  4. 溶接料は金属を溶かしたり濡らしたり 隙間を埋めたりする
  5. 高強度密封溶接を作るための冷却と形成
利点:
  • 毛穴がない 凍った関節がない 極度の密度が高い
  • 高い溶接強度と良好な耐腐蝕性
  • 複雑で正確な流れチャネル設計を可能にします
  • 滑らかな表面,高性能装置の粘着に最適
主要 な 特徴
高熱分散効率

中層にマイクロチャネル,ラウバーフィニング,ポーラスフィニングを組み込むことができ,大きな熱交換領域と低熱耐性を提供します.

強い 圧力 に 抵抗 する

標準圧量: 3~10bar;高圧版は15barを超えて,高速充電,エネルギー貯蔵,電動モーターに適しています.

信頼 できる 密封

完全に溶接された構造で 漏れリスクはほぼゼロで ヘリウム漏れ試験に準拠しています

卓越した表面平らさ

IGBT,SiCモジュール,電源装置,バッテリーパック,その他の平面構成要素の表面に設置された熱消耗に適しています.

材料の組成

主に3003,5052,6061などの合金を使用したアルミニウム合金で作られ,軽量設計,高熱伝導性,中程度のコストを提供しています.

共通流通チャネル設計
  • 蛇口流通経路: シンプルな構造,低圧下降
  • 連続/並列多チャンネル:均等な熱伝送
  • マイクロチャネルフィン:高熱流密度のシナリオ
  • ピンフィン配列:超高熱伝送,GPU/レーザーに適しています
典型的な用途
  • 新しいエネルギー用車両:モーターコントローラ,OBC,DC-DC変換機,800V SiCモジュール
  • エネルギー貯蔵と高速充電:PCSエネルギー貯蔵変換機,超高速充電ステーション,フラッシュ充電シャントのための熱消耗
  • 産業用制御と電源:SVG,光伏インバーター,高電圧インバーター
  • 光電子と計算能力:レーザー,GPUサーバー,レーダーシステム
他の液体冷却プレートとの比較
比較型 利点
vs 摩擦混合溶接液冷却プレート 溶接は精密な流量チャネルと高熱流密度に適しており,摩擦溶接は,大型および高流量アプリケーションにより適しています.
vs 押し出されたプロフィール液体冷却板 溶接板はより柔軟な流通経路設計とより強い熱散を 高コストで提供します
チューブ内蔵液体冷却プレート 結合性能が良く 熱抵抗が低く 高性能デバイスに最適です